Transferência de Calor

No processamento térmico de materiais semicondutores, a têmpera é efetuada pelo
aquecimento de pastilhas de silício de acordo com uma programação temperatura-tempo e, a seguir, pela
manutenção em uma temperatura fixa e elevada por um período de tempo preestabelecido. No dispositivo
para o processo mostrado a diante, a pastilha encontra-se em uma câmara onde há vácuo, cujas paredes são
mantidas a Tsur = 27°C, no interior da qual lâmpadas de aquecimento mantêm um fluxo térmico radiante q”s na
superfície superior da pastilha. A pastilha possui espessura L de 0,78 mm, sua condutividade térmica é de 30
W/mK e sua emissividade é igual à sua absortividade em relação ao fluxo térmico radiante (ε = α = 0,65). Para
q”s = 3.10^5 W/m², a temperatura em sua superfície inferior é media por um termômetro de radiação, sendo
igual a Tw,l = 997°C. Para evitar o empeno da pastilha e a indução de planos de deslizamento na estrutura do
cristal, a diferença de temperaturas ao longo da espessura da pastilha deve ser inferior a 2°C. Esta condição
está sendo atingida?