Para obter um semicondutor........

Responder à questão com base nas afirmações a seguir.

I. No efeito fotoelétrico, a energia dos elétrons arrancados da placa metálica é diretamente proporcional à intensidade da luz incidente na mesma.
II. Para obter-se um semicondutor do tipo N usando silício (tetravalente) como substrato, pode-se fazer dopagem com alumínio (trivalente).
III. A difração de raios X num cristal é uma evidência do dualismo onda-partícula.
IV. A fusão nuclear dá origem a um núcleo cuja massa é ligeiramente inferior à soma das massas dos núcleos que o originaram.

Pela análise das afirmações, conclui-se que somente
a) está correta a II.
b) está correta a III.
c) está correta a IV.
d) estão corretas a I e a II.
e) estão corretas a III e a IV.

Spoiler:

I. A energia dos elétrons só vai depender da frequência da luz.(E=hf)
II. Existem dois tipos de semicondutores extrínsicos (formados pela mistura de elementos), o tipo N (Semicondutor 4A + Elemento da 5A) e o tipo P(Semicondutor 4A + Elemento da 3A). Daí é claro que o semicondutor formado da mistura de silício com alumínio é tipo P.
III. Difração é fenômeno ondulatório, não caracteriza a dualidade.
IV. Tudo ok!
Alternativa C
Espero ter ajudado.